TY - JOUR AU - Лебедь, Олег Миколайович PY - 2013/11/26 Y2 - 2024/03/29 TI - ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ JF - Наукові праці Вінницького національного технічного університету JA - НаукПраці ВНТУ VL - 0 IS - 2 SE - Застосування результатів досліджень DO - UR - https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/365 SP - AB - Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ. ER -