ШВИДКІСТЬ ПРОГРАМУВАННЯ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНОЇ ПАМ’ЯТІ НА БАЗІ ХСН

  • Іван Володимирович Слободян Вінницький національний технічний університет
Ключові слова: зміна фази, швидкість увімкнення-вимкнення, кристалізація-аморфізація

Анотація

Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмування
енергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).
Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,
низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкість
увімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.

Біографія автора

Іван Володимирович Слободян, Вінницький національний технічний університет
асистент кафедри телекоммунікаційних систем та телебачення

Посилання

1. Ovshinsky S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures / S. R. Ovshinsky //
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.

2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.

3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.

4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.
Як цитувати
[1]
І. Слободян, ШВИДКІСТЬ ПРОГРАМУВАННЯ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНОЇ ПАМ’ЯТІ НА БАЗІ ХСН, НПВНТУ, № 3, 1.
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)

Цей плагін вимагає, щонайменше, один звіт статистики / плагін повинен бути включений. Якщо плагіни вашої статистики забезпечують більше однієї метрики, будь ласка, також виберіть основну метрику на сторінці налаштувань адміністратор сайту і / або на сторінках налаштувань менеджера журналу.