ШВИДКІСТЬ ПРОГРАМУВАННЯ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНОЇ ПАМ’ЯТІ НА БАЗІ ХСН
Ключові слова:
зміна фази, швидкість увімкнення-вимкнення, кристалізація-аморфізаціяАнотація
Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмування
енергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).
Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,
низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкість
увімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.
Посилання
1. Ovshinsky S. R. Reversible electrical switching phenomena in disordered structures / S. R. Ovshinsky //
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.
2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.
3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.
4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.
Physical Review Letters. – 1968. – № 21. – P. 1450 – 1453.
2. Phase Change Memory / H.-S. Philip Wong [et al.] // Proceedings of the IEEE. – 2010. – Vol. 98, №. 12. –
P. 2201 – 2227.
3. Phase change memory technology [Електронний ресурс] / Bipin Rajendran [et al.] / IBM Research. –
2009. Режим доступу:
http://www.itrs.net/ITWG/Beyond_CMOS/2010Memory_April/Proponent/Nanowire%20PCRAM.pdf.
4. Костылев С. Электронное переключение в аморфных полупроводниках / С. Костылев, В. Шкут. –
Наукова думка: Київ, 1978. – с. 203.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 27
Переглядів анотації: 49
Як цитувати
[1]
І. В. Слободян, «ШВИДКІСТЬ ПРОГРАМУВАННЯ ЕНЕРГОНЕЗАЛЕЖНОЇ ПАМ’ЯТІ НА БАЗІ ХСН», НаукПраці ВНТУ, вип. 3, Жов 2014.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
