ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ
Ключові слова:
арсенід галію, епітаксійний шар, вісмут, дислокації, фронт кристалізаціїАнотація
Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ.Посилання
1. Андреев В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. / Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н.; под ред. Ж. И. Алферова. – М.: Сов. радио, 1975. –328 с.
2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / Мильвидский М. Г. – М.: Наука, 1986. – 144 с.
3. Braun A. Analytical solution to Matthews’ and Blakeslee’s critical dislocation formation thickness of epitaxially grown thin films / A. Braun, K. M. Briggs, P. Böni // Journal of Crystal Growth. – 2002. – V. 241 – Р. 231 – 234.
4. Baganov Ye. A. Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping. / Ye. A. Baganov, V. A. Krasnov, O. N. Lebed and S. V. Shutov. // Materials Science–Poland. – 2009. – Vol. 27. – No. 2. – P. 355 – 363.
5. Ганина Н. В. Физико–химические особенности изовалентного легирования полупроводников / Н. В. Ганина // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т. 3. № 4. – С. 565 – 572.
6. Василенко Н. Д. Образование дислокаций в эпитаксиальных слоях, выращенных из различных растворов– расплавов. / Н. Д. Василенко, О. К. Городниченко, В. А. Краснов // Сб. Докл. 5 Междун конф. «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках». – 1986. – С. 57 – 63.
7. Вальковская М. М. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. / Вальковская М. М., Пушкаш Б. М., Марончук И. Е. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 107 с.
8. Петухов Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках. / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – т. 41. – в. 6. – С. 645 – 650.
9. Патент 28402 Україна, МПК6 H 01 L 21/20 Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію / Шутов С. В., Краснов В. О., Лебедь О. М. заявник та патентовласник Херсонський національний технічний університет. – №u200707996 ; заявл. 16.07.07 ; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.
10. Кристаллизация и свойства кристаллов / [Марончук И. Е., Кулюткина Т. Ф., Полещук B. C., Шутов С. В.] – Новочеркасск: НПИ. – 1989. – 64 с.
2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / Мильвидский М. Г. – М.: Наука, 1986. – 144 с.
3. Braun A. Analytical solution to Matthews’ and Blakeslee’s critical dislocation formation thickness of epitaxially grown thin films / A. Braun, K. M. Briggs, P. Böni // Journal of Crystal Growth. – 2002. – V. 241 – Р. 231 – 234.
4. Baganov Ye. A. Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping. / Ye. A. Baganov, V. A. Krasnov, O. N. Lebed and S. V. Shutov. // Materials Science–Poland. – 2009. – Vol. 27. – No. 2. – P. 355 – 363.
5. Ганина Н. В. Физико–химические особенности изовалентного легирования полупроводников / Н. В. Ганина // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т. 3. № 4. – С. 565 – 572.
6. Василенко Н. Д. Образование дислокаций в эпитаксиальных слоях, выращенных из различных растворов– расплавов. / Н. Д. Василенко, О. К. Городниченко, В. А. Краснов // Сб. Докл. 5 Междун конф. «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках». – 1986. – С. 57 – 63.
7. Вальковская М. М. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. / Вальковская М. М., Пушкаш Б. М., Марончук И. Е. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 107 с.
8. Петухов Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках. / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – т. 41. – в. 6. – С. 645 – 650.
9. Патент 28402 Україна, МПК6 H 01 L 21/20 Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію / Шутов С. В., Краснов В. О., Лебедь О. М. заявник та патентовласник Херсонський національний технічний університет. – №u200707996 ; заявл. 16.07.07 ; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.
10. Кристаллизация и свойства кристаллов / [Марончук И. Е., Кулюткина Т. Ф., Полещук B. C., Шутов С. В.] – Новочеркасск: НПИ. – 1989. – 64 с.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 40
Переглядів анотації: 57
Як цитувати
[1]
О. М. Лебедь, «ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ», НаукПраці ВНТУ, вип. 2, Лис 2013.
Номер
Розділ
Застосування результатів досліджень
