ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ

  • Олег Миколайович Лебедь Херсонська державна морська академія
Ключові слова: арсенід галію, епітаксійний шар, вісмут, дислокації, фронт кристалізації

Анотація

Розроблено технологічні режими зниження щільності дислокацій в епітаксійних шарах (ЕШ) арсеніду галію під час використання ізовалентного металу-розчинника вісмуту, які дозволяють стабілізувати фронт кристалізації. Розглянуто та проаналізовано механізми, що відповідають за зміну структури ЕШ.

Біографія автора

Олег Миколайович Лебедь, Херсонська державна морська академія
к. т. н., доцент кафедри науково-природничої підготовки

Посилання

1. Андреев В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. / Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н.; под ред. Ж. И. Алферова. – М.: Сов. радио, 1975. –328 с.

2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / Мильвидский М. Г. – М.: Наука, 1986. – 144 с.

3. Braun A. Analytical solution to Matthews’ and Blakeslee’s critical dislocation formation thickness of epitaxially grown thin films / A. Braun, K. M. Briggs, P. Böni // Journal of Crystal Growth. – 2002. – V. 241 – Р. 231 – 234.

4. Baganov Ye. A. Reducing the density of threading dislocations in GaAs epitaxial layers. Efficiency assessment of isovalent Bi doping and Pb doping. / Ye. A. Baganov, V. A. Krasnov, O. N. Lebed and S. V. Shutov. // Materials Science–Poland. – 2009. – Vol. 27. – No. 2. – P. 355 – 363.

5. Ганина Н. В. Физико–химические особенности изовалентного легирования полупроводников / Н. В. Ганина // Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т. 3. № 4. – С. 565 – 572.

6. Василенко Н. Д. Образование дислокаций в эпитаксиальных слоях, выращенных из различных растворов– расплавов. / Н. Д. Василенко, О. К. Городниченко, В. А. Краснов // Сб. Докл. 5 Междун конф. «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках». – 1986. – С. 57 – 63.

7. Вальковская М. М. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость. / Вальковская М. М., Пушкаш Б. М., Марончук И. Е. – Кишинев: Штиинца, 1984. – 107 с.

8. Петухов Б. В. О пороговых напряжениях при движении дислокаций в примесных полупроводниках. / Б. В. Петухов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – т. 41. – в. 6. – С. 645 – 650.

9. Патент 28402 Україна, МПК6 H 01 L 21/20 Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію / Шутов С. В., Краснов В. О., Лебедь О. М. заявник та патентовласник Херсонський національний технічний університет. – №u200707996 ; заявл. 16.07.07 ; опубл. 10.12.07, Бюл. № 20.

10. Кристаллизация и свойства кристаллов / [Марончук И. Е., Кулюткина Т. Ф., Полещук B. C., Шутов С. В.] – Новочеркасск: НПИ. – 1989. – 64 с.
Як цитувати
[1]
О. Лебедь, ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ МОНОКРИСТАЛІВ GAAS ПІД ЧАС ВИРОЩУВАННЯ З РІДКОЇ ФАЗИ, НПВНТУ, № 2, 1.
Розділ
Застосування результатів досліджень

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)

Цей плагін вимагає, щонайменше, один звіт статистики / плагін повинен бути включений. Якщо плагіни вашої статистики забезпечують більше однієї метрики, будь ласка, також виберіть основну метрику на сторінці налаштувань адміністратор сайту і / або на сторінках налаштувань менеджера журналу.