МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР ІЗ ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСУ ЖИТТЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ МОДУЛЯЦІЇ ПРОВІДНОСТІ В ТОЧКОВОМУ КОНТАКТІ

  • Володимир Степанович Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • Олександр Володимирович Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • Роман Валерійович Дуда Вінницький національний технічний університет
Ключові слова: час життя, дифузійна довжина, нерівноважні носії заряду, модуляція, точковий контакт

Анотація

У технологіях виготовлення напівпровідникових приладів використовують різні методи дослідження їхніх параметрів, які оцінюють за зміною структурно-чутливих електричних параметрів – дифузійної довжини пробігу нерівноважних носіїв заряду LD та часу їхнього життя τ [4]. Відомі методики [1] визначення цих параметрів дозволяють визначити LD і τ для об'єму напівпровідників, тому важливим завданням цієї роботи було вивчити можливості визначення τ за допомогою перетворення напруги в частоту. Подальший аналіз та обробка частотного сигналу дозволяє підвищити точність визначення τ. При цьому розглядали методику вимірювання часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті.

Біографії авторів

Володимир Степанович Осадчук, Вінницький національний технічний університет
д. т. н., професор кафедри електроніки
Олександр Володимирович Осадчук, Вінницький національний технічний університет
д. т. н., професор кафедри радіотехніки
Роман Валерійович Дуда, Вінницький національний технічний університет
аспірант кафедри електроніки

Посилання

1. Блад П. Методы измерения электрических свойств полупроводников / П. Блад, Дж.В. Оргон. – Зарубежная радиоэлектроника, 1981. – 49 с.

2. Ковтонюк Н. Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. – «Металургия», 1970. – 432 с.

3. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» / Л. П. Павлов. – М.: Высш. школа, 1987. – 239 с.

4. Батвин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / Батвин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.

5. Уколов А. И. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника / А. И., Уколов, В. А. Надточий, А. З. Калимбет, Д. С. Москаль // Пошук і знахідки. Серія: фізико – математичні науки. – 2010. – № 1. – С. 88 – 94.

6. Осадчук В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця ВНТУ, 2004. – 208 с.

7. Огляд методів визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Новости научной мысли – 2013: VIII Міжнародна науково технічна конференція, 27 жовтня – 5 листопада 2013 р. м. Прага, Чехія: тези доповідей – Режим доступу: http://www.rusnauka.com/31_NNM_2013/Tecnic/6_145682.doc.htm.
Як цитувати
[1]
В. Осадчук, О. Осадчук, і Р. Дуда, МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР ІЗ ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСУ ЖИТТЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ МОДУЛЯЦІЇ ПРОВІДНОСТІ В ТОЧКОВОМУ КОНТАКТІ, НПВНТУ, № 4, 1.
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)

Цей плагін вимагає, щонайменше, один звіт статистики / плагін повинен бути включений. Якщо плагіни вашої статистики забезпечують більше однієї метрики, будь ласка, також виберіть основну метрику на сторінці налаштувань адміністратор сайту і / або на сторінках налаштувань менеджера журналу.