МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР ІЗ ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСУ ЖИТТЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ МОДУЛЯЦІЇ ПРОВІДНОСТІ В ТОЧКОВОМУ КОНТАКТІ
Ключові слова:
час життя, дифузійна довжина, нерівноважні носії заряду, модуляція, точковий контактАнотація
У технологіях виготовлення напівпровідникових приладів використовують різні методи дослідження їхніх параметрів, які оцінюють за зміною структурно-чутливих електричних параметрів – дифузійної довжини пробігу нерівноважних носіїв заряду LD та часу їхнього життя τ [4]. Відомі методики [1] визначення цих параметрів дозволяють визначити LD і τ для об'єму напівпровідників, тому важливим завданням цієї роботи було вивчити можливості визначення τ за допомогою перетворення напруги в частоту. Подальший аналіз та обробка частотного сигналу дозволяє підвищити точність визначення τ. При цьому розглядали методику вимірювання часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті.
Посилання
1. Блад П. Методы измерения электрических свойств полупроводников / П. Блад, Дж.В. Оргон. – Зарубежная радиоэлектроника, 1981. – 49 с.
2. Ковтонюк Н. Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. – «Металургия», 1970. – 432 с.
3. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» / Л. П. Павлов. – М.: Высш. школа, 1987. – 239 с.
4. Батвин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / Батвин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.
5. Уколов А. И. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника / А. И., Уколов, В. А. Надточий, А. З. Калимбет, Д. С. Москаль // Пошук і знахідки. Серія: фізико – математичні науки. – 2010. – № 1. – С. 88 – 94.
6. Осадчук В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця ВНТУ, 2004. – 208 с.
7. Огляд методів визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Новости научной мысли – 2013: VIII Міжнародна науково технічна конференція, 27 жовтня – 5 листопада 2013 р. м. Прага, Чехія: тези доповідей – Режим доступу: http://www.rusnauka.com/31_NNM_2013/Tecnic/6_145682.doc.htm.
2. Ковтонюк Н. Ф. Измерение параметров полупроводниковых материалов / Н. Ф. Ковтонюк, Ю. А. Концевой. – «Металургия», 1970. – 432 с.
3. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы» / Л. П. Павлов. – М.: Высш. школа, 1987. – 239 с.
4. Батвин В. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур / Батвин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. – М.: Радио и связь, 1985. – 264 с.
5. Уколов А. И. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника / А. И., Уколов, В. А. Надточий, А. З. Калимбет, Д. С. Москаль // Пошук і знахідки. Серія: фізико – математичні науки. – 2010. – № 1. – С. 88 – 94.
6. Осадчук В. С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця ВНТУ, 2004. – 208 с.
7. Огляд методів визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Новости научной мысли – 2013: VIII Міжнародна науково технічна конференція, 27 жовтня – 5 листопада 2013 р. м. Прага, Чехія: тези доповідей – Режим доступу: http://www.rusnauka.com/31_NNM_2013/Tecnic/6_145682.doc.htm.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 40
Переглядів анотації: 53
Як цитувати
[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, і Р. В. Дуда, «МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ СЕНСОР ІЗ ЧАСТОТНИМ ВИХОДОМ ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСУ ЖИТТЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ МЕТОДОМ МОДУЛЯЦІЇ ПРОВІДНОСТІ В ТОЧКОВОМУ КОНТАКТІ», НаукПраці ВНТУ, вип. 4, Лют 2014.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
