БАГАТОКОМПОНЕНТНІ ОМІЧНІ КОНТАКТИ ДО GaAs

  • Вадим Сергійович Дмитрієв Запорізька державна інженерна академія

Анотація

У статті наведені результати дослідження впливу попередньої обробки напівпровідникової пластини, режимів нанесення та термообробки контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs на питомий перехідний опір.

Дані про автора

Вадим Сергійович Дмитрієв, Запорізька державна інженерна академія

завідувач навчально-наукової лабораторії кафедри мікроелектронних інформаційних систем

Посилання

1. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей [Електронний ресурс] / С. В. Платонов, Н. В. Пермяков, Б. И. Селезнев [и др.] // Вестник Новгородского государственного университета. – 2012. – № 67. – С. 29 – 32. – Режим доступу до ресурсу: http://www.novsu.ru/file/1010219.
2. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken : A John Wiley & Sons, Inc., 2007. – 815 р.
3. Ti/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices [Електронний ресурс] / P. Huo,
I. Rey-Stolle // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, № 6. – P. 2769 – 2775. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6.
4. Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura,
M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.
5. Christou A. Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid-State Electronics. – 1979. – Vol. 22, № 2. – P. 141 – 149.
6. Дмитриев В. С. Влияние межфазной границы раздела на параметры омического контакта /
В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева // Материали за X международна научна практична конференция «Настоящи изследвания и развитие - 2014» / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева. – София : «Бял ГРАД-БГ» ООД. – 2014. –
Т. 28. – С. 79 – 82. – (ISBN 978-966-8736-05-6).
7. Thermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation / L. Jing, L. Fachun, L. Limei [and al.] // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253, № 17. – P. 7036 – 7040.
8. Sugawara K. Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films / K. Sugawara,
M. Kawamura, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2007. – Vol. 84, № 11. – P. 2476 – 2480.
9. Вартанян Т. А. Отложенное действие освещения на релаксацию гранулированной серебряной пленки при термическом отжиге / Т. А. Вартанян, Н. Б. Леонов, С. Г. Пржибельский // Оптический журнал. – 2013. – Т. 80, № 2. – С. 24 – 28.
10. Electrical and structural investigations of Ag-based Ohmic contacts for InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors [Електронний ресурс] / W. Zhao, L. Wang, I. Adesida // Applied Physics Letters. – 2006. –
Vol. 89, № 7. – P. 072105–1–072105–3. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1063/1.2337102.
11. Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura,
M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282.
12. Kim H. C. Improvement of the thermal stability of silver metallization / H. C. Kim, T. L. Alford // Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 94, № 8. – Р. 5393 – 5395.
13. Маркин Б. В. Влияние химической обработки на состав поверхности GaAs / Б. В. Маркин, В. В. Чикун // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. – 1990. – № 4. – С. 19.
14. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / [Б. Д. Луфт, В. А. Перевощиков, Н. М. Возмилова и др.]. – М. : Радио и связь, 1982. – 136 с.
15. Пат. 2319798 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/302. Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия / Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стародубцев А. А., Стрыгин В. Д., Арсентьев И. Н.; заявитель и патентообладатель ГОУВПО Воронежская государственная технологическая академия. – № 2006116830/15 ; заявл. 16.05.06 ; опубл. 20.03.08, Бюл. № 8.
16. Пат. 2402103 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/316. Способ пассивации поверхности GaAs. / Ерофеев Е. В., Ишуткин С. В., Кагадей В. А., Носаева К. С.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Научно-производственная фирма Микран». – №2009133993/28 ; заявл. 10.09.09 ; опубл. 20.10.10, Бюл. № 29.
17. Нисков В. Я. Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков // Приборы и техника эксперимента. – 1971. – № 1. – С. 235 – 237.
18. Нисков В. Я. Сопротивление омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков,
Г. А. Кубецкий // Физика и техника полупроводников. – 1970. – Т. 4, № 9. – С. 1806 – 1808.
Опубліковано
2017-10-01
Як цитувати
ДМИТРІЄВ, Вадим Сергійович. БАГАТОКОМПОНЕНТНІ ОМІЧНІ КОНТАКТИ ДО GaAs. Наукові праці Вінницького національного технічного університету, [S.l.], n. 3, oct. 2017. ISSN 2307-5376. Доступно за адресою: <https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517>. Дата доступу: 16 dec. 2017
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)

Цей плагін вимагає, щонайменше, один звіт статистики / плагін повинен бути включений. Якщо плагіни вашої статистики забезпечують більше однієї метрики, будь ласка, також виберіть основну метрику на сторінці налаштувань адміністратор сайту і / або на сторінках налаштувань менеджера журналу.