РОЗПОДІЛ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІНЖЕКТОВАНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В БАЗОВІЙ ОБЛАСТІ ПРИ ДІЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ В БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ

Автор(и)

  • Володимир Степанович Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • Олександр Володимирович Осадчук Вінницький національний технічний університет

Ключові слова:

магнітне поле, сенсори, біполярний транзистор

Анотація

Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.

Біографії авторів

Володимир Степанович Осадчук, Вінницький національний технічний університет

д. т. н., професор, професор кафедри електроніки

Олександр Володимирович Осадчук, Вінницький національний технічний університет

д. т. н., професор, завідувач кафедри радіотехніки

Посилання

1. Готри З. Ю. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / За ред. З. Ю. Готри. – Львів: Ліга-Прес, 2002. – 475 с.

2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.

3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 10

Як цитувати

[1]
В. С. Осадчук і О. В. Осадчук, «РОЗПОДІЛ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІНЖЕКТОВАНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В БАЗОВІЙ ОБЛАСТІ ПРИ ДІЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ В БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ», НаукПраці ВНТУ, вип. 3, Лис 2011.

Номер

Розділ

Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 > >>