РОЗПОДІЛ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІНЖЕКТОВАНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В БАЗОВІЙ ОБЛАСТІ ПРИ ДІЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ В БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ
Keywords:
магнітне поле, сенсори, біполярний транзисторAbstract
Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.References
1. Готри З. Ю. Мікроелектронні сенсори фізичних величин / За ред. З. Ю. Готри. – Львів: Ліга-Прес, 2002. – 475 с.
2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.
3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.
4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
2. Викулин И. М. Физика полупроводниковых приборов / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. – М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.
3. Бронштейн И. Н. Справочник по математике / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев. – М.: Наука, 1981. – 718 с.
4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1 / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
Downloads
-
PDF (Українська)
Downloads: 64
Abstract views: 141
How to Cite
[1]
В. С. Осадчук and О. В. Осадчук, “РОЗПОДІЛ КОНЦЕНТРАЦІЇ ІНЖЕКТОВАНИХ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В БАЗОВІЙ ОБЛАСТІ ПРИ ДІЇ МАГНІТНОГО ПОЛЯ В БІПОЛЯРНИХ МАГНІТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ”, НаукПраці ВНТУ, no. 3, Nov. 2011.
Issue
Section
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
