АНАЛІЗ СУЧАСНИХ ДОСЯГНЕНЬ СТВОРЕННЯ ІНФОРМАЦІЙНИХ ПРИСТРОЇВ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР
Ключові слова:
інформаційні пристрої, одноперехідна транзисторна структура, одноперехідний транзисторАнотація
Проведено аналіз сучасних досягнень створення інформаційних пристроїв на основі одноперехідних транзисторних структур, визначено їхні переваги та недоліки. Вироблено рекомендації щодо покращення інформаційних пристроїв.Посилання
1. Silicon unijunction transistor 2N2646. Philips Semiconductors. Preliminary specification. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/philips/2N2646.pdf.
2. 2N2647 Silicon PN unijunction transistor. ASI. Advanced semiconductor. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/Componentes/2N2647.pdf
3. 2N2647. Motorola Semiconductor Datasheet Library. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://www.datasheetarchive.com/2N2647-datasheet.html.
4. 2N6027, 2N6028. Programmable unijunction transistor. Semiconductors components industries. [Електронний ресурс] // Режим доступу: www.solarbotics.net/library/datasheets/2N602X.pdf.
5. Філинюк М. А. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі: монографія / М. А. Філинюк, О. М. Куземко, Л. Б. Ліщинська. – Вінниця: ВНТУ, 2009. – 274 с.
6. Васюра А. С. Елементи та пристрої систем управління автоматики / В. С. Васюра. – Вінниця: ВДТУ, 1999. – 420 с.
7. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
8. Патент Российской Федерации 2031554, МПК6 Н 05 В 39/02. Осветительное устройство / Филиппов А. Н., Машков А. С., Пушкин Н. М.; заявитель и патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительной техники. – № 5054391/07 ; заявл. 14.07.92; опубл. 20.03.95.
9. Патент 51719 України, МПК6 G 05 F 1/44. Пристрій для регулювання світлового режиму в пташниках / Берека О. М., Жулай Е. Л. ; заявник та патентовласник Національний аграрний університет. – № 99021126; заявл. 26.02.1999; опубл. 16.12.2002, Бюл. № 12.
10. Патент Российской Федерации 15432, МПК7 Н 02 J 7/10. Устройство для заряда аккумуляторной батареи / Лившин Г. Д,, Ременик Д. М., Дмитриев В. П., Меркулов А. С. ; заявитель и патентообладатель Общество с ограниченной ответственностью "КОСМОС-ЭНВО". – № 2000109049/20; заявл. 12.04.2000; опубл. 10.10.2000.
11. Патент Российской Федерации 1306435, МПК6 Н 02 Р 9/30. Тиристорный регулятор напряжения генератора переменного тока / Нечаев А. В., Рябов А. Д. – № 3828578/07; заявл. 20.12.84; опубл. 10.09.99.
12. Патент 60442 А України, МПК6 Е 21 В 43/25, E 21 B 47/12. Заглибний свердловинний пристрій / Курашко Ю. І, Кліманський М. М., Лазун А. Ф. заявник та патентовласник Інститут імпульсних процесів і технологій Національної академії наук України. – № 2002075822; Заявл. 15.07.02; Опубл. 15.10.03, Бюл. №10.
13. Осадчук В. С. Сенсори тиску і магнітного поля. Монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2005. – 207 с.
14. Викулина Л. Ф. Физика сенсоров температуры и магнитного поля / Л. Ф. Викулина, М. А. Глауберман. – Одесса: Маяк, 2000. – 156 с.
15. Гуменюк С. В. Интегральные полупроводниковые магнито чувствительные датчики / С. В. Гуменюк, Б. И. Подлепецкий // Зарубежная электронная техника. – 1989. – № 12(343). – С. 3 – 47.
16. Горти З. Ю. Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля. За редакцією З. Ю. Горти. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001. – 412 с.
17. Преобразователи давления с частотным выходом на основе однопереходных транзисторов / Г. Г. Бабичев, Г. И. Гаврилюк, Э. А. Зинченко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 48 – 51.
18. Кремниевый однопереходный тензотранзистор / Бабичев Г. Г., Козловский С. И., Романов В. А., Шаран Н. Н. [и др.] – Журнал технической физики. – 2002. – № 4. – С. 66 – 71.
19. Converter of pressure with frequency output on the base of unijunction tenso-transistors / Babichev G. G., Gavrylyuk G. P. [etc.] – Technology and design in electronic devices. – 2004. – № 3. – Р. 48 – 51.
20. Викулин И. М. Фотоприемник на основе однопереходного и полевого транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. А. Мингалев // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2006. – № 4. – P. 28 – 30.
21. Фотоприемник на основе однопереходного транзистора и фотодиода / Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. Н., Панфилов М. И. [и др.] Фотоэлектроника. О.: Астропринт, 2008. – № 17 . – С. 88 – 90.
22. Патент 20016 України, МПК6 H 01 L 31/10. Одноперехідний фототранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. М., Панфілов М. І. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова. – № u200606237; заявл. 05.06.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
23. Датчики температуры на основе однопереходного и полевого транзисторов при радиационном воздействии / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, П. Ю. Марколенко [и др.] // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2009. – № 2. – p. 18 – 21.
24. Патент 49256 України, МПК6 H 01 L 29/82. Магніточутливий сенсор / Вікулін І. М., Вікуліна Л. Ф., Курмашев Ш. Д. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200910777; заявл. 26.10.09; опубл. 26.04.10, Бюл. № 8.
25. Патент 30179 А України, МПК6 G 01 K 13/00, A61B 5/02. Пристрій для реєстрації теплових властивостей шкіри / Логінов В. В., Русяєв В. Ф. ; заявник та патентовласник Кримський медичний університет ім. С. І. Георгієвського. – № 98010211; заявл. 15.01.1998; опубл. 15.11.2000, Бюл. № 6.
26. Патент 19977 України, МПК H 01 L 29/00. Одноперехідний тензотранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Мінгальов В. О., Никифоров С. М. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200605556; заявл. 22.05.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
27. Патент 53618 України, МПК6 H 01 L 9/04. Одноперехідний тензотранзистор / Курмашев Ш. Д., Вікулін І. М., Сидорець Р. Г. ; заявник та патентовласник Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова.– № u201004826; заявл. 22.04.10; опубл. 11.10.10, Бюл. № 19.
28. Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги / В. П. Дьяконов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. – 240 с.
29. Петров А. Азбука транзисторной схемотехники / А. Петров // Радиолюбитель. – 1994. – № 12. – С. 12 – 14.
30. Патент Российской Федерации 2087069, МПК6 H 03 K 3/351. Генератор импульсов / Иванов С. М., Сонин А. Ф., Тимофеев В. М. ; заявитель и патентообладатель Московский институт теплотехники.– № 3828578/07; Заявл. 12.04.94; Опубл. 10.08.97.
31. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
32. Salivahanan S. Electronic Devices and Circuits / S. Salivahanan, N. Suresh Kumar, A. Vallavaraj. – Tata McGraw-Hill, 2008. – 951 p.
33. Mothiki S. Pulse and digital circuits / S. Mothiki, R. Prakash. – Tata McGraw-Hill, 2006. – 671 p.
34. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Прикладні аспекти / М. А. Філинюк. – Вінниця: УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 306 с.
35. Узагальнені перетворювачі іммітансу на основі інжекційно-пролітної транзисторної структури із загальним витоком [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Булига І. В., Шведюк А. Г., Філинюк Н. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2008. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2008-2/2008-2.files/uk/08lblsts_uk.pdf.
36. Дослідження узагальнених перетворювачів іммітансу на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Барабан М. В., Рожкова Я. С. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010-2/2010-2.files/uk/10lblpec_ua.pdf
37. Дослідження “якості” одно кристальних конверторів імітансу [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Рожкова Я. С., Філинюк М. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 3. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010_3/2010-3.files/uk/10llboic_ua.pdf.
2. 2N2647 Silicon PN unijunction transistor. ASI. Advanced semiconductor. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/postscript/Componentes/2N2647.pdf
3. 2N2647. Motorola Semiconductor Datasheet Library. [Електронний ресурс] // Режим доступу: http://www.datasheetarchive.com/2N2647-datasheet.html.
4. 2N6027, 2N6028. Programmable unijunction transistor. Semiconductors components industries. [Електронний ресурс] // Режим доступу: www.solarbotics.net/library/datasheets/2N602X.pdf.
5. Філинюк М. А. Інформаційні пристрої на основі потенційно-нестійких багатоелектродних напівпровідникових структур Шотткі: монографія / М. А. Філинюк, О. М. Куземко, Л. Б. Ліщинська. – Вінниця: ВНТУ, 2009. – 274 с.
6. Васюра А. С. Елементи та пристрої систем управління автоматики / В. С. Васюра. – Вінниця: ВДТУ, 1999. – 420 с.
7. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
8. Патент Российской Федерации 2031554, МПК6 Н 05 В 39/02. Осветительное устройство / Филиппов А. Н., Машков А. С., Пушкин Н. М.; заявитель и патентообладатель Научно-исследовательский институт измерительной техники. – № 5054391/07 ; заявл. 14.07.92; опубл. 20.03.95.
9. Патент 51719 України, МПК6 G 05 F 1/44. Пристрій для регулювання світлового режиму в пташниках / Берека О. М., Жулай Е. Л. ; заявник та патентовласник Національний аграрний університет. – № 99021126; заявл. 26.02.1999; опубл. 16.12.2002, Бюл. № 12.
10. Патент Российской Федерации 15432, МПК7 Н 02 J 7/10. Устройство для заряда аккумуляторной батареи / Лившин Г. Д,, Ременик Д. М., Дмитриев В. П., Меркулов А. С. ; заявитель и патентообладатель Общество с ограниченной ответственностью "КОСМОС-ЭНВО". – № 2000109049/20; заявл. 12.04.2000; опубл. 10.10.2000.
11. Патент Российской Федерации 1306435, МПК6 Н 02 Р 9/30. Тиристорный регулятор напряжения генератора переменного тока / Нечаев А. В., Рябов А. Д. – № 3828578/07; заявл. 20.12.84; опубл. 10.09.99.
12. Патент 60442 А України, МПК6 Е 21 В 43/25, E 21 B 47/12. Заглибний свердловинний пристрій / Курашко Ю. І, Кліманський М. М., Лазун А. Ф. заявник та патентовласник Інститут імпульсних процесів і технологій Національної академії наук України. – № 2002075822; Заявл. 15.07.02; Опубл. 15.10.03, Бюл. №10.
13. Осадчук В. С. Сенсори тиску і магнітного поля. Монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2005. – 207 с.
14. Викулина Л. Ф. Физика сенсоров температуры и магнитного поля / Л. Ф. Викулина, М. А. Глауберман. – Одесса: Маяк, 2000. – 156 с.
15. Гуменюк С. В. Интегральные полупроводниковые магнито чувствительные датчики / С. В. Гуменюк, Б. И. Подлепецкий // Зарубежная электронная техника. – 1989. – № 12(343). – С. 3 – 47.
16. Горти З. Ю. Мікроелектронні сенсорні пристрої магнітного поля. За редакцією З. Ю. Горти. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001. – 412 с.
17. Преобразователи давления с частотным выходом на основе однопереходных транзисторов / Г. Г. Бабичев, Г. И. Гаврилюк, Э. А. Зинченко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – С. 48 – 51.
18. Кремниевый однопереходный тензотранзистор / Бабичев Г. Г., Козловский С. И., Романов В. А., Шаран Н. Н. [и др.] – Журнал технической физики. – 2002. – № 4. – С. 66 – 71.
19. Converter of pressure with frequency output on the base of unijunction tenso-transistors / Babichev G. G., Gavrylyuk G. P. [etc.] – Technology and design in electronic devices. – 2004. – № 3. – Р. 48 – 51.
20. Викулин И. М. Фотоприемник на основе однопереходного и полевого транзисторов / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. А. Мингалев // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2006. – № 4. – P. 28 – 30.
21. Фотоприемник на основе однопереходного транзистора и фотодиода / Викулин И. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. Н., Панфилов М. И. [и др.] Фотоэлектроника. О.: Астропринт, 2008. – № 17 . – С. 88 – 90.
22. Патент 20016 України, МПК6 H 01 L 31/10. Одноперехідний фототранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Никифоров С. М., Панфілов М. І. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова. – № u200606237; заявл. 05.06.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
23. Датчики температуры на основе однопереходного и полевого транзисторов при радиационном воздействии / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, П. Ю. Марколенко [и др.] // Sensors Electronics and Microsystems Technologies. – 2009. – № 2. – p. 18 – 21.
24. Патент 49256 України, МПК6 H 01 L 29/82. Магніточутливий сенсор / Вікулін І. М., Вікуліна Л. Ф., Курмашев Ш. Д. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200910777; заявл. 26.10.09; опубл. 26.04.10, Бюл. № 8.
25. Патент 30179 А України, МПК6 G 01 K 13/00, A61B 5/02. Пристрій для реєстрації теплових властивостей шкіри / Логінов В. В., Русяєв В. Ф. ; заявник та патентовласник Кримський медичний університет ім. С. І. Георгієвського. – № 98010211; заявл. 15.01.1998; опубл. 15.11.2000, Бюл. № 6.
26. Патент 19977 України, МПК H 01 L 29/00. Одноперехідний тензотранзистор / Вікулін І. М., Курмашев Ш. Д., Мінгальов В. О., Никифоров С. М. ; заявник та патентовласник Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова.– № u200605556; заявл. 22.05.06; опубл. 15.01.07, Бюл. № 1.
27. Патент 53618 України, МПК6 H 01 L 9/04. Одноперехідний тензотранзистор / Курмашев Ш. Д., Вікулін І. М., Сидорець Р. Г. ; заявник та патентовласник Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова.– № u201004826; заявл. 22.04.10; опубл. 11.10.10, Бюл. № 19.
28. Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги / В. П. Дьяконов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2008. – 240 с.
29. Петров А. Азбука транзисторной схемотехники / А. Петров // Радиолюбитель. – 1994. – № 12. – С. 12 – 14.
30. Патент Российской Федерации 2087069, МПК6 H 03 K 3/351. Генератор импульсов / Иванов С. М., Сонин А. Ф., Тимофеев В. М. ; заявитель и патентообладатель Московский институт теплотехники.– № 3828578/07; Заявл. 12.04.94; Опубл. 10.08.97.
31. Осадчук В. С. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук. – Вінниця : ВНТУ, 2006. – 162 с.
32. Salivahanan S. Electronic Devices and Circuits / S. Salivahanan, N. Suresh Kumar, A. Vallavaraj. – Tata McGraw-Hill, 2008. – 951 p.
33. Mothiki S. Pulse and digital circuits / S. Mothiki, R. Prakash. – Tata McGraw-Hill, 2006. – 671 p.
34. Філинюк М. А. Основи негатроніки. Прикладні аспекти / М. А. Філинюк. – Вінниця: УНІВЕРСУМ- Вінниця, 2006. – 306 с.
35. Узагальнені перетворювачі іммітансу на основі інжекційно-пролітної транзисторної структури із загальним витоком [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Булига І. В., Шведюк А. Г., Філинюк Н. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2008. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2008-2/2008-2.files/uk/08lblsts_uk.pdf.
36. Дослідження узагальнених перетворювачів іммітансу на базі одноперехідного транзистора від параметрів його фізичної еквівалентної схеми [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Барабан М. В., Рожкова Я. С. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 2. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010-2/2010-2.files/uk/10lblpec_ua.pdf
37. Дослідження “якості” одно кристальних конверторів імітансу [Електронний ресурс] / Ліщинська Л. Б., Рожкова Я. С., Філинюк М. А. // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2010. – № 3. Режим доступу до журн.: http://www.nbuv.gov.ua/e-journals/VNTU/2010_3/2010-3.files/uk/10llboic_ua.pdf.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 74
Переглядів анотації: 62
Як цитувати
[1]
М. А. Філинюк і М. В. Барабан, «АНАЛІЗ СУЧАСНИХ ДОСЯГНЕНЬ СТВОРЕННЯ ІНФОРМАЦІЙНИХ ПРИСТРОЇВ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР», НаукПраці ВНТУ, вип. 2, Лис 2012.
Номер
Розділ
Інформаційні технології та комп'ютерна техніка
